MUN5211DW1T1G ONSemiconductor

Symbol Micros: TMUN5211dw
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT363
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2NPN 50V 100mA 250mW 2NPN 50V 100mA 250mW
Parameter
Verlustleistung: 385mW
Stromverstärkungsfaktor: 60
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SOT363
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MUN5211DW1T1G Gehäuse: SOT363  
Externes Lager:
561000 stk.
Anzahl Stück 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0189
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MUN5211DW1T1G Gehäuse: SOT363  
Externes Lager:
384000 stk.
Anzahl Stück 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0222
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 385mW
Stromverstärkungsfaktor: 60
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SOT363
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: 2xNPN

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