MUN5211T1G ON Semiconductor

Symbol Micros: TMUN5211t1g
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SC70-3
NPN 100mA 50V 202mW NPN 100mA 50V 202mW
Parameter
Verlustleistung: 310mW
Stromverstärkungsfaktor: 60
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SC70-3
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MUN5211T1G Gehäuse: SC70-3  
Externes Lager:
81000 stk.
Anzahl Stück 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0160
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MUN5211T1G Gehäuse: SC70-3  
Externes Lager:
564000 stk.
Anzahl Stück 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0162
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MUN5211T1G Gehäuse: SC70-3  
Externes Lager:
138000 stk.
Anzahl Stück 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0171
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 310mW
Stromverstärkungsfaktor: 60
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SC70-3
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN