MUN5213T1G ONSemiconductor

Symbol Micros: TMUN5213
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SC70-3
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NPN 50V 100mA 202mW NPN 50V 100mA 202mW
Parameter
Verlustleistung: 310mW
Stromverstärkungsfaktor: 140
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SC70-3
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MUN5213T1G RoHS Gehäuse: SC70-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Nettopreis (EUR) 0,0708 0,0273 0,0133 0,0106 0,0101
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Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MUN5213T1G Gehäuse: SC70-3  
Externes Lager:
99000 stk.
Anzahl Stück 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0168
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MUN5213T1G Gehäuse: SC70-3  
Externes Lager:
57000 stk.
Anzahl Stück 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0162
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 310mW
Stromverstärkungsfaktor: 140
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SC70-3
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

Symbol Micros

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