MUN5314DW1T1G ON SEMI

Symbol Micros: TMUN5314dw
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SC70-6
Transistor 1 NPN / 1 PNP PRE-BIASED (DUAL) 100mA 50V Transistor 1 NPN / 1 PNP PRE-BIASED (DUAL) 100mA 50V
Parameter
Verlustleistung: 385mW
Stromverstärkungsfaktor: 140
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SC70-6
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MUN5314DW1T1G RoHS Gehäuse: SC70-6 t/r Datenblatt
Auf Lager:
2120 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1284 0,0609 0,0343 0,0262 0,0234
Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MUN5314DW1T1G Gehäuse: SC70-6  
Externes Lager:
21000 stk.
Anzahl Stück 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0234
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MUN5314DW1T1G Gehäuse: SC70-6  
Externes Lager:
429000 stk.
Anzahl Stück 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0234
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 385mW
Stromverstärkungsfaktor: 140
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SC70-6
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN/PNP