NCE4080K NCE POWER

Symbol Micros: TNCE4080k

Gehäuse: TO252 (DPACK)

N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 7mOhm; 80A; 80W; -55 °C ~ 175 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	7mOhm
Max. Drainstrom:	80A
Maximaler Leistungsverlust:	80W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	NCE POWER
Max. Drain-Source Spannung:	40V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: NCE Power Semiconductor Hersteller-Teilenummer: NCE4080K RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt

Auf Lager:

180 stk.

Anzahl Stück	3+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,4057	0,2658	0,1905	0,1667	0,1562

Widerstand im offenen Kanal:	7mOhm
Max. Drainstrom:	80A
Maximaler Leistungsverlust:	80W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	NCE POWER
Max. Drain-Source Spannung:	40V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD