NDC7003P

Symbol Micros: TNDC7003p
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SSOT6L
2xP-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 10 Ohm; 340mA; 960 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 10Ohm
Max. Drainstrom: 340mA
Maximaler Leistungsverlust: 960mW
Gehäuse: SSOT6L
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: 2xP-MOSFET
Hersteller: Fairchild Hersteller-Teilenummer: NDC7003P RoHS Gehäuse: SSOT6L  
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,5507 0,3052 0,2408 0,2274 0,2203
Standard-Verpackung:
100
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NDC7003P Gehäuse: SSOT6L  
Externes Lager:
42000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,2203
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Fairchild Hersteller-Teilenummer: NDC7003P Gehäuse: SSOT6L  
Externes Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,2203
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 10Ohm
Max. Drainstrom: 340mA
Maximaler Leistungsverlust: 960mW
Gehäuse: SSOT6L
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: 2xP-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD