NDS0610

Symbol Micros: TNDS0610
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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Transistor P-MOSFET; 60V; 20V; 20Ohm; 120mA; 360mW; -55°C~150°C; Substitute: NDS0610-G;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 20Ohm
Max. Drainstrom: 120mA
Maximaler Leistungsverlust: 360mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NDS0610 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
12 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2209 0,1120 0,0678 0,0538 0,0491
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Standard-Verpackung:
1922
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NDS0610 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
3405 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2209 0,1120 0,0678 0,0538 0,0491
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Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 20Ohm
Max. Drainstrom: 120mA
Maximaler Leistungsverlust: 360mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD

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