NDS331N Fairchild

Symbol Micros: TNDS331n
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SSOT3
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N-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 210mOhm; 1,3A; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 210mOhm
Max. Drainstrom: 1,3A
Maximaler Leistungsverlust: 500mW
Gehäuse: SSOT3
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Fairchild Hersteller-Teilenummer: NDS331N RoHS Gehäuse: SSOT3  
Auf Lager:
1 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2961 0,1620 0,1063 0,0958 0,0846
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Produkt verfügbar, bis es vergriffen ist Standard-Verpackung:
200
Widerstand im offenen Kanal: 210mOhm
Max. Drainstrom: 1,3A
Maximaler Leistungsverlust: 500mW
Gehäuse: SSOT3
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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