NDS355AN smd
Symbol Micros:
TNDS355an
Gehäuse: SOT23
N-MOSFET 1.7A 30V 0.5W 0.085Ω
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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 230mOhm |
Max. Drainstrom: | 1,7A |
Maximaler Leistungsverlust: | 500mW |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: NDS355AN RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Auf Lager:
1874 stk.
Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
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Nettopreis (EUR) | 0,6990 | 0,4419 | 0,3484 | 0,3180 | 0,3039 |
Widerstand im offenen Kanal: | 230mOhm |
Max. Drainstrom: | 1,7A |
Maximaler Leistungsverlust: | 500mW |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Montage: | SMD |
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