NDT014L

Symbol Micros: TNDT014L
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
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N-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 360 mOhm; 2,8A; 3W; -65 °C ~ 150 °C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 360mOhm
Max. Drainstrom: 2,8A
Maximaler Leistungsverlust: 3W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Fairchild Hersteller-Teilenummer: NDT014L RoHS Gehäuse: SOT223 Datenblatt
Auf Lager:
293 stk.
Anzahl Stück 3+ 10+ 50+ 313+ 1565+
Nettopreis (EUR) 0,3674 0,2410 0,1729 0,1479 0,1409
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Standard-Verpackung:
313
Widerstand im offenen Kanal: 360mOhm
Max. Drainstrom: 2,8A
Maximaler Leistungsverlust: 3W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Montage: SMD

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