NDT2955 smd

Symbol Micros: TNDT2955

Gehäuse: SOT223

P-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 513 mOhm; 2,5A; 3W; -55 °C ~ 150 °C;

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Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	513mOhm
Max. Drainstrom:	2,5A
Maximaler Leistungsverlust:	3W
Gehäuse:	SOT223
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NDT2955 RoHS Gehäuse: SOT223t/r

Auf Lager:

3350 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,8072	0,5124	0,4024	0,3673	0,3510

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NDT2955 Gehäuse: SOT223

Externes Lager:

13000 stk.

Anzahl Stück	4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3510

Widerstand im offenen Kanal:	513mOhm
Max. Drainstrom:	2,5A
Maximaler Leistungsverlust:	3W
Gehäuse:	SOT223
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD