NDT3055L smd

Symbol Micros: TNDT3055l

Gehäuse:

N-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 180 mOhm; 4A; 3W; -65 °C ~ 150 °C;

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Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	180mOhm
Max. Drainstrom:	4A
Maximaler Leistungsverlust:	3W
Gehäuse:	SOT223
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NDT3055 Gehäuse: SOT223

Externes Lager:

8000 stk.

Anzahl Stück	4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3316

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NDT3055L Gehäuse: SOT223

Externes Lager:

92000 stk.

Anzahl Stück	4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3752

Widerstand im offenen Kanal:	180mOhm
Max. Drainstrom:	4A
Maximaler Leistungsverlust:	3W
Gehäuse:	SOT223
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-65°C ~ 150°C
Montage:	SMD