NDT3055L smd
Symbol Micros:
TNDT3055l
Gehäuse: SOT223
N-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 180 mOhm; 4A; 3W; -65 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 180mOhm |
Max. Drainstrom: | 4A |
Maximaler Leistungsverlust: | 3W |
Gehäuse: | SOT223 |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: NDT3055L
Gehäuse: SOT223
Externes Lager:
200000 stk.
Anzahl Stück | 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,2346 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: NDT3055L
Gehäuse: SOT223
Externes Lager:
34325 stk.
Anzahl Stück | 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,2444 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: NDT3055
Gehäuse: SOT223
Externes Lager:
44000 stk.
Anzahl Stück | 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,2875 |
Widerstand im offenen Kanal: | 180mOhm |
Max. Drainstrom: | 4A |
Maximaler Leistungsverlust: | 3W |
Gehäuse: | SOT223 |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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