NDT451AN

Symbol Micros: TNDT451an
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 10V; 35mOhm; 7,2A; 3W; -65°C~150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 35mOhm
Max. Drainstrom: 7,2A
Maximaler Leistungsverlust: 3W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: ONSEMI
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NDT451AN Gehäuse: SOT223  
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Nettopreis (EUR) 0,4565
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Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 35mOhm
Max. Drainstrom: 7,2A
Maximaler Leistungsverlust: 3W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: ONSEMI
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Montage: SMD

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