NDT451AN

Symbol Micros: TNDT451an
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 10V; 35mOhm; 7,2A; 3W; -65°C~150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 35mOhm
Max. Drainstrom: 7,2A
Maximaler Leistungsverlust: 3W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: ONSEMI
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NDT451AN Gehäuse: SOT223  
Externes Lager:
4000 stk.
Anzahl Stück 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,4505
Standard-Verpackung:
4000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 35mOhm
Max. Drainstrom: 7,2A
Maximaler Leistungsverlust: 3W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: ONSEMI
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Montage: SMD