NDT451AN
Symbol Micros:
TNDT451an
Gehäuse: SOT223
N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 10V; 35mOhm; 7,2A; 3W; -65°C~150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 35mOhm |
Max. Drainstrom: | 7,2A |
Maximaler Leistungsverlust: | 3W |
Gehäuse: | SOT223 |
Hersteller: | ONSEMI |
Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
Msx. Drain-Gate Spannung: | 10V |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: NDT451AN
Gehäuse: SOT223
Externes Lager:
4000 stk.
Anzahl Stück | 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,4505 |
Widerstand im offenen Kanal: | 35mOhm |
Max. Drainstrom: | 7,2A |
Maximaler Leistungsverlust: | 3W |
Gehäuse: | SOT223 |
Hersteller: | ONSEMI |
Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
Msx. Drain-Gate Spannung: | 10V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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