NDT452AP

Symbol Micros: TNDT452ap
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 65mOhm; 5A; 3W; -65°C~150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 65mOhm
Max. Drainstrom: 5A
Maximaler Leistungsverlust: 3W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: ONSEMI
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NDT452AP Gehäuse: SOT223  
Externes Lager:
92000 stk.
Anzahl Stück 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,2829
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Standard-Verpackung:
4000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 65mOhm
Max. Drainstrom: 5A
Maximaler Leistungsverlust: 3W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: ONSEMI
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Montage: SMD

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