NDT452AP
Symbol Micros:
TNDT452ap
Gehäuse:
P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 65mOhm; 5A; 3W; -65°C~150°C;
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Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 65mOhm |
| Max. Drainstrom: | 5A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 3W |
| Gehäuse: | SOT223 |
| Hersteller: | ONSEMI |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 10V |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: NDT452AP
Gehäuse: SOT223
Externes Lager:
44000 stk.
| Anzahl Stück | 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2821 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: NDT452AP
Gehäuse: SOT223
Externes Lager:
4000 stk.
| Anzahl Stück | 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,3650 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 65mOhm |
| Max. Drainstrom: | 5A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 3W |
| Gehäuse: | SOT223 |
| Hersteller: | ONSEMI |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 10V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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