NJT4030PT

Name: TNJT4030p TNJT4030p
Brand: ON-Semicoductor
SKU: TNJT4030p
Price: 0.1569 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TNJT4030p

Gehäuse:

P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 65mOhm; 5A; 3W; -65°C~150°C; Äquivalent: NJT4030PT3G; NJT4030PT1G;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	65mOhm
Max. Drainstrom:	5A
Maximaler Leistungsverlust:	3W
Gehäuse:	SOT223t/r
Hersteller:	ONSEMI
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Msx. Drain-Gate Spannung:	10V

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NJT4030PT3G Gehäuse: SOT223t/r

Externes Lager:

8000 stk.

Anzahl Stück	4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1525

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NJT4030PT1G Gehäuse: SOT223t/r

Externes Lager:

1000 stk.

Anzahl Stück	1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1569

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NJT4030PT1G Gehäuse: SOT223t/r

Externes Lager:

4000 stk.

Anzahl Stück	1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1537

Widerstand im offenen Kanal:	65mOhm
Max. Drainstrom:	5A
Maximaler Leistungsverlust:	3W
Gehäuse:	SOT223t/r
Hersteller:	ONSEMI
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Msx. Drain-Gate Spannung:	10V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-65°C ~ 150°C
Montage:	SMD