NSS30101LT1G

Symbol Micros: TNSS30101LT1G
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Gehäuse: SOT23
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Transistor NPN; Bipolar; 30V; 5V; 900; 100MHz; 1A; 310mW; -55°C~150°C; Transistor NPN; Bipolar; 30V; 5V; 900; 100MHz; 1A; 310mW; -55°C~150°C;

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Parameter
Verlustleistung: 310mW
Grenzfrequenz: 100MHz
Stromverstärkungsfaktor: 900
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 30V
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NSS30101LT1G Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
6000 stk.
Anzahl Stück 1+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.)
Nettopreis (EUR) 0,0918
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 310mW
Grenzfrequenz: 100MHz
Stromverstärkungsfaktor: 900
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

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