NST45010MW6T1G

Symbol Micros: TNST45010mw6

Gehäuse: SOT363

Transistor GP BJT PNP 45V 0.1A 380mW 6-Pin SOT-363 Transistor GP BJT PNP 45V 0.1A 380mW 6-Pin SOT-363

Parameter

Verlustleistung:	380mW
Stromverstärkungsfaktor:	475
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse:	SOT363
Max. Kollektor-Strom [A]:	100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	45V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NST45010MW6T1G Gehäuse: SOT363

Externes Lager:

3000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1327

Verlustleistung:	380mW
Stromverstärkungsfaktor:	475
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse:	SOT363
Max. Kollektor-Strom [A]:	100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	45V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	PNP