NTD20N06L smd ONS

Symbol Micros: TNTD20n06l
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
N-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 15V; 48mOhm; 20A; 60W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: NTD20N06LT4G; NTD20N06T4G;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 48mOhm
Max. Drainstrom: 20A
Maximaler Leistungsverlust: 60W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 60V
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NTD20N06LT4G RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
2480 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,1295 0,7913 0,6716 0,6152 0,5941
Standard-Verpackung:
2500
Widerstand im offenen Kanal: 48mOhm
Max. Drainstrom: 20A
Maximaler Leistungsverlust: 60W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 15V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD