NTD25P03LG smd

Symbol Micros: TNTD25P03
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
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P-MOSFET 25A 30V 75W 51mΩ

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 90mOhm
Max. Drainstrom: 25A
Maximaler Leistungsverlust: 75W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NTD25P03LT4G RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
5546 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,1940 0,8365 0,7103 0,6496 0,6285
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Standard-Verpackung:
2500
Widerstand im offenen Kanal: 90mOhm
Max. Drainstrom: 25A
Maximaler Leistungsverlust: 75W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 15V
Montage: SMD

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