NTD25P03LG HXY MOSFET
Symbol Micros:
TNTD25P03 HXY
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 58mOhm; 20A; 29W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: NTD25P03LT4G;
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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 58mOhm |
Max. Drainstrom: | 20A |
Maximaler Leistungsverlust: | 29W |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | HXY MOSFET |
Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Widerstand im offenen Kanal: | 58mOhm |
Max. Drainstrom: | 20A |
Maximaler Leistungsverlust: | 29W |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | HXY MOSFET |
Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Max. Gate-Source Spannung: | 25V |
Montage: | SMD |
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