NTD5865NLT4G

Symbol Micros: TNTD5865nl
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Gehäuse: TO252 (DPACK)
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 19mOhm; 46A; 71W; -55 °C ~ 175 °C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 19mOhm
Max. Drainstrom: 46A
Maximaler Leistungsverlust: 71W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: TECH PUBLIC Hersteller-Teilenummer: NTD5865NLT4G RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r  
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70 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,7875 0,4945 0,4101 0,3656 0,3422
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 19mOhm
Max. Drainstrom: 46A
Maximaler Leistungsverlust: 71W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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