NTD5865NLT4G

Symbol Micros: TNTD5865nl
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
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N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 19mOhm; 46A; 71W; -55°C ~ 175°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 19mOhm
Max. Drainstrom: 46A
Maximaler Leistungsverlust: 71W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: TECH PUBLIC Hersteller-Teilenummer: NTD5865NLT4G RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r  
Auf Lager:
70 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,8594 0,5401 0,4485 0,3992 0,3734
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 19mOhm
Max. Drainstrom: 46A
Maximaler Leistungsverlust: 71W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD

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