NTGS3441T1G

Symbol Micros: TNTGS3441
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TSOP06
P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 90mOhm; 1,65A; 500 mW; -55°C~150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 90mOhm
Max. Drainstrom: 1,65A
Maximaler Leistungsverlust: 500mW
Gehäuse: TSOP06
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Msx. Drain-Gate Spannung: 4,5V
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NTGS3441T1G Gehäuse: TSOP06  
Externes Lager:
6000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1499
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NTGS3441T1G Gehäuse: TSOP06  
Externes Lager:
18000 stk.
Anzahl Stück 710+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1625
Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 90mOhm
Max. Drainstrom: 1,65A
Maximaler Leistungsverlust: 500mW
Gehäuse: TSOP06
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Msx. Drain-Gate Spannung: 4,5V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD