NTGS4111PT1G

Symbol Micros: TNTGS4111p
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 60mOhm; 2,6A; 630 mW; -55°C~150°C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 60mOhm
Max. Drainstrom: 2,6A
Maximaler Leistungsverlust: 630mW
Gehäuse: TSOP06
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NTGS4111PT1G Gehäuse: TSOP06  
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Nettopreis (EUR) 0,1166
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3000
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Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 60mOhm
Max. Drainstrom: 2,6A
Maximaler Leistungsverlust: 630mW
Gehäuse: TSOP06
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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