NTGS5120PT1G
Symbol Micros:
TNTGS5120p
Gehäuse: TSOP06
P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 111mOhm; 1,8A; 600 mW; -55°C~150°C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 111mOhm |
| Max. Drainstrom: | 1,8A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 600mW |
| Gehäuse: | TSOP06 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 10V |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: NTGS5120PT1G
Gehäuse: TSOP06
Externes Lager:
3000 stk.
| Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1121 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: NTGS5120PT1G
Gehäuse: TSOP06
Externes Lager:
3000 stk.
| Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1403 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: NTGS5120PT1G
Gehäuse: TSOP06
Externes Lager:
66000 stk.
| Anzahl Stück | 820+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1403 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 111mOhm |
| Max. Drainstrom: | 1,8A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 600mW |
| Gehäuse: | TSOP06 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 10V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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