NTJD4401NT1G

Symbol Micros: TNTJD4401
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Gehäuse: SOT363 t/r
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2xN-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 445 mOhm; 910mA; 550 mW; -55 °C ~ 150 °C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 445mOhm
Max. Drainstrom: 910mA
Maximaler Leistungsverlust: 550mW
Gehäuse: SOT363 t/r
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NTJD4401 RoHS Gehäuse: SOT363 t/r Datenblatt
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100 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2906 0,1584 0,1038 0,0898 0,0827
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 445mOhm
Max. Drainstrom: 910mA
Maximaler Leistungsverlust: 550mW
Gehäuse: SOT363 t/r
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Montage: SMD

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