NTJD4401NT1G

Name: NTJD4401NT1G TNTJD4401
Brand: ON-Semicoductor
SKU: TNTJD4401
Price: 0.0813 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TNTJD4401

Gehäuse: SOT363 t/r

2xN-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 445 mOhm; 910mA; 550 mW; -55 °C ~ 150 °C;

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Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	445mOhm
Max. Drainstrom:	910mA
Maximaler Leistungsverlust:	550mW
Gehäuse:	SOT363 t/r
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	2xN-MOSFET

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NTJD4401 RoHS Gehäuse: SOT363 t/r Datenblatt

Auf Lager:

100 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	300+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,2857	0,1557	0,1021	0,0882	0,0813

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NTJD4401NT1G Gehäuse: SOT363 t/r

Externes Lager:

12000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.)
Nettopreis (EUR)	0,0813

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NTJD4401NT1G Gehäuse: SOT363 t/r

Externes Lager:

9000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.)
Nettopreis (EUR)	0,0813

Widerstand im offenen Kanal:	445mOhm
Max. Drainstrom:	910mA
Maximaler Leistungsverlust:	550mW
Gehäuse:	SOT363 t/r
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	2xN-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	12V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD