NTLJS4114NT1G

Symbol Micros: TNTLJS4114n
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: WDFN6 =ODFN6(2.1x2)
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 35mOhm; 3,6A; 700 mW; -55°C~150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 35mOhm
Max. Drainstrom: 3,6A
Maximaler Leistungsverlust: 700mW
Gehäuse: WDFN6 (2x2)
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Msx. Drain-Gate Spannung: 4,5V
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NTLJS4114NT1G Gehäuse: WDFN6 =ODFN6(2.1x2)  
Externes Lager:
75000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,3255
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 35mOhm
Max. Drainstrom: 3,6A
Maximaler Leistungsverlust: 700mW
Gehäuse: WDFN6 (2x2)
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Msx. Drain-Gate Spannung: 4,5V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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