NTMD4N03R2G

Symbol Micros: TNTMD4n03
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
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2xN-Channel MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 60mOhm; 4A; 2W; -55°C~150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 60mOhm
Max. Drainstrom: 4A
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NTMD4N03R2G Gehäuse: SOP08  
Externes Lager:
5000 stk.
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Nettopreis (EUR) 0,2688
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2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 60mOhm
Max. Drainstrom: 4A
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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