NTMD6P02R2G

Symbol Micros: TNTMD6p02
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Gehäuse: SOP08
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2xP-Channel MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 50mOhm; 6,2A; 1,28 W; -55 °C ~ 150 °C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 50mOhm
Max. Drainstrom: 6,2A
Maximaler Leistungsverlust: 1,28W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: 2xP-MOSFET
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NTMD6P02R2G RoHS Gehäuse: SOP08t/r Datenblatt
Auf Lager:
30 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,7922 0,5016 0,3961 0,3610 0,3445
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 50mOhm
Max. Drainstrom: 6,2A
Maximaler Leistungsverlust: 1,28W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: 2xP-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Montage: SMD

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