NTMD6P02R2G

Name: TNTMD6p02 TNTMD6p02
Brand: ON-Semicoductor
SKU: TNTMD6p02
Price: 0.5205 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TNTMD6p02

Gehäuse: SOP08

2xP-Channel MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 50mOhm; 6,2A; 1,28 W; -55 °C ~ 150 °C;

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Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	50mOhm
Max. Drainstrom:	6,2A
Maximaler Leistungsverlust:	1,28W
Gehäuse:	SOP08
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	2xP-MOSFET

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NTMD6P02R2G RoHS Gehäuse: SOP08t/r Datenblatt

Auf Lager:

30 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,7939	0,5027	0,3970	0,3617	0,3453

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NTMD6P02R2G Gehäuse: SOP08

Externes Lager:

12500 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,5205

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NTMD6P02R2G Gehäuse: SOP08

Externes Lager:

10000 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,4944

Widerstand im offenen Kanal:	50mOhm
Max. Drainstrom:	6,2A
Maximaler Leistungsverlust:	1,28W
Gehäuse:	SOP08
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	2xP-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	12V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD