NTMFS4926NT1G

Symbol Micros: TNTMFS4926nt1g
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Gehäuse: DFN5
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N-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 11,2 mOhm; 44A; 21,6 W; -55 °C ~ 150 °C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 11,2mOhm
Max. Drainstrom: 44A
Maximaler Leistungsverlust: 21,6W
Gehäuse: DFN5
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NTMFS4926NT1G RoHS Gehäuse: DFN5 Datenblatt
Auf Lager:
8 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,0644 0,7073 0,5852 0,5276 0,5069
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Standard-Verpackung:
110
Widerstand im offenen Kanal: 11,2mOhm
Max. Drainstrom: 44A
Maximaler Leistungsverlust: 21,6W
Gehäuse: DFN5
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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