NTR0202PLT1G

Symbol Micros: TNTR0202pl
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 20V; 1,1 Ohm; 400mA; 225 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: NTR0202PLT3G;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,1Ohm
Max. Drainstrom: 400mA
Maximaler Leistungsverlust: 225mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NTR0202PLT1G RoHS PL. Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
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100 stk.
Anzahl Stück 5+ 30+ 200+ 1000+ 4000+
Nettopreis (EUR) 0,2311 0,1006 0,0628 0,0539 0,0513
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Standard-Verpackung:
200
Widerstand im offenen Kanal: 1,1Ohm
Max. Drainstrom: 400mA
Maximaler Leistungsverlust: 225mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD

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