NTR0202PLT1G
Symbol Micros:
TNTR0202pl
Gehäuse: SOT23
P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 20V; 1,1 Ohm; 400mA; 225 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: NTR0202PLT3G;
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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 1,1Ohm |
Max. Drainstrom: | 400mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 225mW |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: NTR0202PLT1G RoHS PL.
Gehäuse: SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück | 5+ | 30+ | 200+ | 1000+ | 4000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,2316 | 0,1008 | 0,0630 | 0,0540 | 0,0514 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: NTR0202PLT1G
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
9000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0633 |
Widerstand im offenen Kanal: | 1,1Ohm |
Max. Drainstrom: | 400mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 225mW |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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