NTR1P02LT1G

Symbol Micros: TNTR1P02l
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Gehäuse: SOT23
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Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 350mOhm; 1,3A; 400mW; -55°C ~ 150°C; NTR1P02LT3G (10000/reel)

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 350mOhm
Max. Drainstrom: 1,3A
Maximaler Leistungsverlust: 400mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NTR1P02LT1G RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2284 0,1262 0,0839 0,0701 0,0652
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Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 350mOhm
Max. Drainstrom: 1,3A
Maximaler Leistungsverlust: 400mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Montage: SMD

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