NTR4003NT1G

Symbol Micros: TNTR4003n
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 2Ohm; 500mA; 690 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: NTR4003NT3G;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2Ohm
Max. Drainstrom: 500mA
Maximaler Leistungsverlust: 690mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NTR4003NT1G RoHS TR8 Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
95 stk.
Anzahl Stück 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
Nettopreis (EUR) 0,2140 0,0856 0,0497 0,0415 0,0389
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Standard-Verpackung:
1000
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NTR4003NT1G RoHS TR8 Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
1400 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2180 0,1036 0,0581 0,0443 0,0396
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Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 2Ohm
Max. Drainstrom: 500mA
Maximaler Leistungsverlust: 690mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD

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