NTR4003NT1G

Symbol Micros: TNTR4003n
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 2Ohm; 500mA; 690 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: NTR4003NT3G;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2Ohm
Max. Drainstrom: 500mA
Maximaler Leistungsverlust: 690mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NTR4003NT1G RoHS TR8 Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
95 stk.
Anzahl Stück 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
Nettopreis (EUR) 0,2125 0,0849 0,0493 0,0412 0,0386
Standard-Verpackung:
1000
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NTR4003NT1G RoHS TR8 Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
1400 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2164 0,1029 0,0577 0,0440 0,0393
Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NTR4003NT1G Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
192000 stk.
Anzahl Stück 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0393
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 2Ohm
Max. Drainstrom: 500mA
Maximaler Leistungsverlust: 690mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD