NTR4171PT1G

Symbol Micros: TNTR4171p
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Gehäuse: SOT23
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 150 mOhm; 2,2A; 480 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: NTR4171PT3G;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 150mOhm
Max. Drainstrom: 2,2A
Maximaler Leistungsverlust: 480mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NTR4171PT1G Pbf TRF Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
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200 stk.
Anzahl Stück 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2742 0,1756 0,1233 0,1069 0,1001
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Standard-Verpackung:
200
Widerstand im offenen Kanal: 150mOhm
Max. Drainstrom: 2,2A
Maximaler Leistungsverlust: 480mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Montage: SMD

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