NTR4171PT1G

Symbol Micros: TNTR4171p
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 150 mOhm; 2,2A; 480 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: NTR4171PT3G;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 150mOhm
Max. Drainstrom: 2,2A
Maximaler Leistungsverlust: 480mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NTR4171PT1G Pbf TRF Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2738 0,1753 0,1231 0,1067 0,0999
Standard-Verpackung:
200
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NTR4171PT1G Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
51000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0999
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 150mOhm
Max. Drainstrom: 2,2A
Maximaler Leistungsverlust: 480mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD