NTR4501NT1G
Symbol Micros:
TNTR4501n
Gehäuse: SOT23
N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 105 mOhm; 3,2A; 1,25 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: NTR4501NT3G;
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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 105mOhm |
Max. Drainstrom: | 3,2A |
Maximaler Leistungsverlust: | 1,25W |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: NTR4501NT1G RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,2658 | 0,1704 | 0,1194 | 0,1037 | 0,0971 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: NTR4501NT1G
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
42000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0971 |
Widerstand im offenen Kanal: | 105mOhm |
Max. Drainstrom: | 3,2A |
Maximaler Leistungsverlust: | 1,25W |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 12V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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