NTR4501NT1G

Symbol Micros: TNTR4501n
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Gehäuse: SOT23
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 105 mOhm; 3,2A; 1,25 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: NTR4501NT3G;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 105mOhm
Max. Drainstrom: 3,2A
Maximaler Leistungsverlust: 1,25W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NTR4501NT1G RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
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200 stk.
Anzahl Stück 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2631 0,1687 0,1182 0,1027 0,0961
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Standard-Verpackung:
200
Widerstand im offenen Kanal: 105mOhm
Max. Drainstrom: 3,2A
Maximaler Leistungsverlust: 1,25W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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