NTR4502PT1G
Symbol Micros:
TNTR4502p
Gehäuse: SOT23
P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 350 mOhm; 1,13A; 400 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: NTR4502PT3G;
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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 350mOhm |
Max. Drainstrom: | 1,13A |
Maximaler Leistungsverlust: | 400mW |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: NTR4502PT1G RoHS TR2
Gehäuse: SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,2748 | 0,1752 | 0,1229 | 0,1066 | 0,0998 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: NTR4502PT1G
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
303000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0998 |
Widerstand im offenen Kanal: | 350mOhm |
Max. Drainstrom: | 1,13A |
Maximaler Leistungsverlust: | 400mW |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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