NTR4502PT1G

Symbol Micros: TNTR4502p
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 350 mOhm; 1,13A; 400 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: NTR4502PT3G;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 350mOhm
Max. Drainstrom: 1,13A
Maximaler Leistungsverlust: 400mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NTR4502PT1G RoHS TR2 Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2688 0,1714 0,1201 0,1043 0,0976
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Standard-Verpackung:
200
Widerstand im offenen Kanal: 350mOhm
Max. Drainstrom: 1,13A
Maximaler Leistungsverlust: 400mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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