NTR5103NT1G

Symbol Micros: TNTR5103n
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 30V; 3Ohm; 260mA; 300 mW; -55 °C ~ 150 °C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3Ohm
Max. Drainstrom: 260mA
Maximaler Leistungsverlust: 300mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NTR5103NT1G RoHS TJ4 Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
2261 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1819 0,0863 0,0485 0,0369 0,0330
Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NTR5103NT1G Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
33000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0330
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NTR5103NT1G Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
99000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0330
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 3Ohm
Max. Drainstrom: 260mA
Maximaler Leistungsverlust: 300mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD