NTR5103NT1G
Symbol Micros:
TNTR5103n
Gehäuse: SOT23
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 30V; 3Ohm; 260mA; 300 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Haben Sie Fragen? Wir beantworten Sie gerne.
Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48 785 054 437
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 3Ohm |
Max. Drainstrom: | 260mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 300mW |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: NTR5103NT1G RoHS TJ4
Gehäuse: SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
2261 stk.
Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,1819 | 0,0863 | 0,0485 | 0,0369 | 0,0330 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: NTR5103NT1G
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
33000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0330 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: NTR5103NT1G
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
99000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0330 |
Widerstand im offenen Kanal: | 3Ohm |
Max. Drainstrom: | 260mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 300mW |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole