NTS4001NT1G

Name: TNTS4001n TNTS4001n
Brand: ON-Semicoductor
SKU: TNTS4001n
Price: 0.1208 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TNTS4001n

Gehäuse: SOT323

N-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 2Ohm; 270mA; 330 mW; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	2Ohm
Max. Drainstrom:	270mA
Maximaler Leistungsverlust:	330mW
Gehäuse:	SOT323
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NTS4001NT1G RoHS Gehäuse: SOT323 t/r Datenblatt

Auf Lager:

3000 stk.

Anzahl Stück	3+	20+	100+	300+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,3142	0,1731	0,1360	0,1259	0,1208

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NTS4001NT1G Gehäuse: SOT323

Externes Lager:

645000 stk.

Anzahl Stück	6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1208

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NTS4001NT1G Gehäuse: SOT323

Externes Lager:

3000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1208

Widerstand im offenen Kanal:	2Ohm
Max. Drainstrom:	270mA
Maximaler Leistungsverlust:	330mW
Gehäuse:	SOT323
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD