NTS4173PT1G

Symbol Micros: TNTS4173pt1g
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT323
Technische Zeichnung
P-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 280 mOhm; 1,2A; 290 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 280mOhm
Max. Drainstrom: 1,2A
Maximaler Leistungsverlust: 290mW
Gehäuse: SOT323
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NTS4173PT1G RoHS Gehäuse: SOT323 t/r Datenblatt
Auf Lager:
2795 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,3207 0,1704 0,1321 0,1218 0,1168
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Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NTS4173PT1G Gehäuse: SOT323  
Externes Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1168
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NTS4173PT1G Gehäuse: SOT323  
Externes Lager:
48000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1168
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 280mOhm
Max. Drainstrom: 1,2A
Maximaler Leistungsverlust: 290mW
Gehäuse: SOT323
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD