NTS4173PT1G
Symbol Micros:
TNTS4173pt1g
Gehäuse: SOT323
P-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 280 mOhm; 1,2A; 290 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 280mOhm |
Max. Drainstrom: | 1,2A |
Maximaler Leistungsverlust: | 290mW |
Gehäuse: | SOT323 |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: NTS4173PT1G RoHS
Gehäuse: SOT323 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
2795 stk.
Anzahl Stück | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
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Nettopreis (EUR) | 0,3207 | 0,1704 | 0,1321 | 0,1218 | 0,1168 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: NTS4173PT1G
Gehäuse: SOT323
Externes Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,1168 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: NTS4173PT1G
Gehäuse: SOT323
Externes Lager:
48000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,1168 |
Widerstand im offenen Kanal: | 280mOhm |
Max. Drainstrom: | 1,2A |
Maximaler Leistungsverlust: | 290mW |
Gehäuse: | SOT323 |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 12V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |