NTS4409NT1G

Name: TNTS4409nt1g TNTS4409nt1g
Brand: ON-Semicoductor
SKU: TNTS4409nt1g
Price: 0.1238 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TNTS4409nt1g

Gehäuse: SOT323

N-MOSFET-Transistor; 25V; 8V; 400 mOhm; 700mA; 280 mW; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	400mOhm
Max. Drainstrom:	700mA
Maximaler Leistungsverlust:	280mW
Gehäuse:	SOT323
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	25V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NTS4409NT1G RoHS Gehäuse: SOT323 t/r Datenblatt

Auf Lager:

100 stk.

Anzahl Stück	3+	20+	100+	500+	2000+
Nettopreis (EUR)	0,3212	0,1784	0,1409	0,1280	0,1238

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NTS4409NT1G Gehäuse: SOT323

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21000 stk.

Anzahl Stück	2942+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1238

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NTS4409NT1G Gehäuse: SOT323

Externes Lager:

132000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1238

Widerstand im offenen Kanal:	400mOhm
Max. Drainstrom:	700mA
Maximaler Leistungsverlust:	280mW
Gehäuse:	SOT323
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	25V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	8V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD