NVF2955T1G
Symbol Micros:
TNVF2955t
Gehäuse: SOT223
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 185mOhm; 2,6A; 2,3W; -55°C ~ 175°C;
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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 185mOhm |
Max. Drainstrom: | 2,6A |
Maximaler Leistungsverlust: | 2,3W |
Gehäuse: | SOT223 |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: NVF2955T1G RoHS
Gehäuse: SOT223t/r
Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 30+ | 150+ | 300+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,9913 | 0,6577 | 0,5238 | 0,4815 | 0,4721 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: NVF2955T1G
Gehäuse: SOT223
Externes Lager:
12000 stk.
Anzahl Stück | 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,4721 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: NVF2955T1G
Gehäuse: SOT223
Externes Lager:
37000 stk.
Anzahl Stück | 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,4721 |
Widerstand im offenen Kanal: | 185mOhm |
Max. Drainstrom: | 2,6A |
Maximaler Leistungsverlust: | 2,3W |
Gehäuse: | SOT223 |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
Montage: | SMD |
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