NVF2955T1G

Symbol Micros: TNVF2955t
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 185mOhm; 2,6A; 2,3W; -55°C ~ 175°C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 185mOhm
Max. Drainstrom: 2,6A
Maximaler Leistungsverlust: 2,3W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NVF2955T1G RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
Nettopreis (EUR) 0,9913 0,6577 0,5238 0,4815 0,4721
Standard-Verpackung:
150
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NVF2955T1G Gehäuse: SOT223  
Externes Lager:
12000 stk.
Anzahl Stück 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,4721
Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NVF2955T1G Gehäuse: SOT223  
Externes Lager:
37000 stk.
Anzahl Stück 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,4721
Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 185mOhm
Max. Drainstrom: 2,6A
Maximaler Leistungsverlust: 2,3W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD