NVMFS4C03NT1G

Symbol Micros: TNVMFS4C03N
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: DFN5
N-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 2,4 mOhm; 159A; 77W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2,4mOhm
Max. Drainstrom: 159A
Maximaler Leistungsverlust: 77W
Gehäuse: DFN5
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NVMFS4C03NT1G RoHS Gehäuse: DFN5 Datenblatt
Auf Lager:
9 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Nettopreis (EUR) 0,9600 0,6384 0,5288 0,4764 0,4574
Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 2,4mOhm
Max. Drainstrom: 159A
Maximaler Leistungsverlust: 77W
Gehäuse: DFN5
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD