NVR5124PLT1G

Symbol Micros: TNVR5124pl
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
P-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 365 mOhm; 1,1A; 470 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 365mOhm
Max. Drainstrom: 1,1A
Maximaler Leistungsverlust: 470mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NVR5124PLT1G RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
40 stk.
Anzahl Stück 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,5040 0,2808 0,2208 0,2083 0,2016
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
100
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: NVR5124PLT1G Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,2016
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 365mOhm
Max. Drainstrom: 1,1A
Maximaler Leistungsverlust: 470mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole