NX3008CBKS
Symbol Micros:
TNX3008cbks
Gehäuse: SOT363
N/P-MOSFET-Transistor; 30V; 8V; 2,8 Ohm/7,8 Ohm; 350mA/200mA; 445 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: NX3008CBKS.115;
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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 7,8Ohm |
Max. Drainstrom: | 350mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 445mW |
Gehäuse: | SOT363 |
Hersteller: | NXP |
Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
Transistor-Typ: | N/P-MOSFET |
Hersteller: NXP
Hersteller-Teilenummer: NX3008CBKS RoHS LD..
Gehäuse: SOT363 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,2764 | 0,1530 | 0,1017 | 0,0848 | 0,0789 |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: NX3008CBKS,115
Gehäuse: SOT363
Externes Lager:
33000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0789 |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: NX3008CBKS,115
Gehäuse: SOT363
Externes Lager:
33000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,0789 |
Widerstand im offenen Kanal: | 7,8Ohm |
Max. Drainstrom: | 350mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 445mW |
Gehäuse: | SOT363 |
Hersteller: | NXP |
Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
Transistor-Typ: | N/P-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 8V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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