NX3008NBK

Symbol Micros: TNX3008nbk
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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N-MOSFET-Transistor; 30V; 8V; 2,8 Ohm; 400mA; 420 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2,8Ohm
Max. Drainstrom: 400mA
Maximaler Leistungsverlust: 420mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: NX3008NBK KS. RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
10 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2509 0,1374 0,0900 0,0779 0,0718
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 2,8Ohm
Max. Drainstrom: 400mA
Maximaler Leistungsverlust: 420mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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