NX3020NAK NXP
Symbol Micros:
TNX3020nak
Gehäuse: SOT23-3
N-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 13Ohm; 200mA; 360 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: NX3020NAK,215;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 13Ohm |
Max. Drainstrom: | 200mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 360mW |
Gehäuse: | SOT23-3 |
Hersteller: | NXP |
Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: NXP
Hersteller-Teilenummer: NX3020NAK,215 RoHS .CU
Gehäuse: SOT23-3 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
10 stk.
Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 310+ | 1240+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,2115 | 0,1159 | 0,0762 | 0,0657 | 0,0604 |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: NX3020NAK,215
Gehäuse: SOT23-3
Externes Lager:
12000 stk.
Anzahl Stück | 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0604 |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: NX3020NAK,215
Gehäuse: SOT23-3
Externes Lager:
60000 stk.
Anzahl Stück | 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,0604 |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: NX3020NAK,215
Gehäuse: SOT23-3
Externes Lager:
57000 stk.
Anzahl Stück | 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0604 |
Widerstand im offenen Kanal: | 13Ohm |
Max. Drainstrom: | 200mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 360mW |
Gehäuse: | SOT23-3 |
Hersteller: | NXP |
Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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