NX3020NAK NXP

Symbol Micros: TNX3020nak
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
N-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 13Ohm; 200mA; 360 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: NX3020NAK,215;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 13Ohm
Max. Drainstrom: 200mA
Maximaler Leistungsverlust: 360mW
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: NX3020NAK,215 RoHS .CU Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
10 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 310+ 1240+
Nettopreis (EUR) 0,2115 0,1159 0,0762 0,0657 0,0604
Standard-Verpackung:
310
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: NX3020NAK,215 Gehäuse: SOT23-3  
Externes Lager:
12000 stk.
Anzahl Stück 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0604
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: NX3020NAK,215 Gehäuse: SOT23-3  
Externes Lager:
60000 stk.
Anzahl Stück 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0604
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: NX3020NAK,215 Gehäuse: SOT23-3  
Externes Lager:
57000 stk.
Anzahl Stück 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0604
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 13Ohm
Max. Drainstrom: 200mA
Maximaler Leistungsverlust: 360mW
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD