NX3020NAKW
Symbol Micros:
TNX3020nakw
Gehäuse: SOT323
N-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 13Ohm; 180mA; 300 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: NX3020NAKW,115;
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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 13Ohm |
Max. Drainstrom: | 180mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 300mW |
Gehäuse: | SOT323 |
Hersteller: | NXP |
Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: NXP
Hersteller-Teilenummer: NX3020NAKW,115 RoHS
Gehäuse: SOT323 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,2056 | 0,1124 | 0,0854 | 0,0665 | 0,0587 |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: NX3020NAKW,115
Gehäuse: SOT323
Externes Lager:
24000 stk.
Anzahl Stück | 1+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.) |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0587 |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: NX3020NAKW,115
Gehäuse: SOT323
Externes Lager:
129000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.) |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0587 |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: NX3020NAKW,115
Gehäuse: SOT323
Externes Lager:
12000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.) |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0587 |
Widerstand im offenen Kanal: | 13Ohm |
Max. Drainstrom: | 180mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 300mW |
Gehäuse: | SOT323 |
Hersteller: | NXP |
Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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