NX3020NAKW

Symbol Micros: TNX3020nakw
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT323
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N-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 13Ohm; 180mA; 300 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: NX3020NAKW,115;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 13Ohm
Max. Drainstrom: 180mA
Maximaler Leistungsverlust: 300mW
Gehäuse: SOT323
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: NX3020NAKW,115 RoHS Gehäuse: SOT323 t/r Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2082 0,1138 0,0865 0,0674 0,0595
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Standard-Verpackung:
50
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: NX3020NAKW,115 Gehäuse: SOT323  
Externes Lager:
93000 stk.
Anzahl Stück 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0595
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: NX3020NAKW,115 Gehäuse: SOT323  
Externes Lager:
30000 stk.
Anzahl Stück 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0595
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 13Ohm
Max. Drainstrom: 180mA
Maximaler Leistungsverlust: 300mW
Gehäuse: SOT323
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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