NX3020NAKW

Symbol Micros: TNX3020nakw
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT323
N-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 13Ohm; 180mA; 300 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: NX3020NAKW,115;

Haben Sie Fragen? Wir beantworten Sie gerne.
Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48 785 054 437

Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 13Ohm
Max. Drainstrom: 180mA
Maximaler Leistungsverlust: 300mW
Gehäuse: SOT323
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: NX3020NAKW,115 RoHS Gehäuse: SOT323 t/r Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2056 0,1124 0,0854 0,0665 0,0587
Standard-Verpackung:
50
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: NX3020NAKW,115 Gehäuse: SOT323  
Externes Lager:
24000 stk.
Anzahl Stück 1+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.)
Nettopreis (EUR) 0,0587
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: NX3020NAKW,115 Gehäuse: SOT323  
Externes Lager:
129000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.)
Nettopreis (EUR) 0,0587
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: NX3020NAKW,115 Gehäuse: SOT323  
Externes Lager:
12000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.)
Nettopreis (EUR) 0,0587
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 13Ohm
Max. Drainstrom: 180mA
Maximaler Leistungsverlust: 300mW
Gehäuse: SOT323
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD