NX3020NAKW

Symbol Micros: TNX3020nakw
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT323
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N-MOSFET 30V 180mA 260mW 4.5Ω

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 13Ohm
Max. Drainstrom: 180mA
Maximaler Leistungsverlust: 300mW
Gehäuse: SOT323
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: NX3020NAKW,115 RoHS Gehäuse: SOT323 t/r Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2088 0,1141 0,0867 0,0676 0,0596
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 13Ohm
Max. Drainstrom: 180mA
Maximaler Leistungsverlust: 300mW
Gehäuse: SOT323
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD

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