P1010AT

Symbol Micros: TP1010AT NIKO
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 25V; 800 mOhm; 69A; 115 W; -55°C~175°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 800mOhm
Max. Drainstrom: 69A
Maximaler Leistungsverlust: 115W
Gehäuse: TO220
Hersteller: NIKO SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: NIKO SEMICONDUCTOR Hersteller-Teilenummer: P1010AT RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,6087 1,2823 1,0981 0,9862 0,9465
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 800mOhm
Max. Drainstrom: 69A
Maximaler Leistungsverlust: 115W
Gehäuse: TO220
Hersteller: NIKO SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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