PBRN113ET,215 NXP

Symbol Micros: TPBRN113et
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
NPN 40V 600mA 250mW NPN 40V 600mA 250mW
Parameter
Verlustleistung: 570mW
Stromverstärkungsfaktor: 420
Hersteller: NXP
Gehäuse: SOT23-3
Max. Kollektor-Strom [A]: 700mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 40V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: PBRN113ET,215 RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
45 stk.
Anzahl Stück 3+ 10+ 50+ 250+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,3050 0,1949 0,1367 0,1171 0,1111
Standard-Verpackung:
50/250
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: PBRN113ET,215 Gehäuse: SOT23-3  
Externes Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1111
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 570mW
Stromverstärkungsfaktor: 420
Hersteller: NXP
Gehäuse: SOT23-3
Max. Kollektor-Strom [A]: 700mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 40V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN