PBRN113ET,215 NXP
Symbol Micros:
TPBRN113et
Gehäuse: SOT23-3
NPN 40V 600mA 250mW NPN 40V 600mA 250mW
Parameter
Verlustleistung: | 570mW |
Stromverstärkungsfaktor: | 420 |
Hersteller: | NXP |
Gehäuse: | SOT23-3 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 700mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 40V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
Hersteller: NXP
Hersteller-Teilenummer: PBRN113ET,215 RoHS
Gehäuse: SOT23-3 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
45 stk.
Anzahl Stück | 3+ | 10+ | 50+ | 250+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,3050 | 0,1949 | 0,1367 | 0,1171 | 0,1111 |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: PBRN113ET,215
Gehäuse: SOT23-3
Externes Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,1111 |
Verlustleistung: | 570mW |
Stromverstärkungsfaktor: | 420 |
Hersteller: | NXP |
Gehäuse: | SOT23-3 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 700mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 40V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
Transistor-Typ: | NPN |
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