PBRN113ET,215 NXP

Symbol Micros: TPBRN113et
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
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NPN 40V 600mA 250mW NPN 40V 600mA 250mW

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Parameter
Verlustleistung: 570mW
Stromverstärkungsfaktor: 420
Hersteller: NXP
Gehäuse: SOT23-3
Max. Kollektor-Strom [A]: 700mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 40V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: PBRN113ET,215 RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
45 stk.
Anzahl Stück 3+ 10+ 50+ 250+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,3040 0,1942 0,1362 0,1167 0,1107
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Standard-Verpackung:
50/250
Verlustleistung: 570mW
Stromverstärkungsfaktor: 420
Hersteller: NXP
Gehäuse: SOT23-3
Max. Kollektor-Strom [A]: 700mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 40V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

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