PDTA114ET,215
Symbol Micros:
TPDTA114et
Gehäuse: SOT23
Transistor PNP; 30; 250mW; 50V; 100mA; 180MHz; -65°C ~ 150°C; Transistor PNP; 30; 250mW; 50V; 100mA; 180MHz; -65°C ~ 150°C;
Parameter
Verlustleistung: | 250mW |
Grenzfrequenz: | 180MHz |
Stromverstärkungsfaktor: | 30 |
Hersteller: | NXP |
Gehäuse: | SOT23 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
Hersteller: NXP
Hersteller-Teilenummer: PDTA114ET,215 RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
2980 stk.
Anzahl Stück | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0965 | 0,0381 | 0,0222 | 0,0163 | 0,0149 |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: PDTA114ET,215
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
297000 stk.
Anzahl Stück | 12000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0149 |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: PDTA114ET,215
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
18000 stk.
Anzahl Stück | 12000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0149 |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: PDTA114ET,215
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
378000 stk.
Anzahl Stück | 12000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0149 |
Verlustleistung: | 250mW |
Grenzfrequenz: | 180MHz |
Stromverstärkungsfaktor: | 30 |
Hersteller: | NXP |
Gehäuse: | SOT23 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
Transistor-Typ: | PNP |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole