PDTA115ET
Symbol Micros:
TPDTA115et
Gehäuse: SOT23
Transistor Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin TO-236AB Transistor Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin TO-236AB
Parameter
Verlustleistung: | 250mW |
Stromverstärkungsfaktor: | 80 |
Hersteller: | NXP |
Gehäuse: | SOT-23 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 20mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
Hersteller: NXP
Hersteller-Teilenummer: PDTA115ET,215 RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,1077 | 0,0495 | 0,0269 | 0,0201 | 0,0180 |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: PDTA115ET,215
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
54000 stk.
Anzahl Stück | 12000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0180 |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: PDTA115ET,215
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
459000 stk.
Anzahl Stück | 12000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0180 |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: PDTA115ET,215
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
48000 stk.
Anzahl Stück | 12000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0180 |
Verlustleistung: | 250mW |
Stromverstärkungsfaktor: | 80 |
Hersteller: | NXP |
Gehäuse: | SOT-23 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 20mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
Transistor-Typ: | PNP |
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